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APTCV50H60T3G

APTCV50H60T3G

Nur als Referenz

Teilenummer APTCV50H60T3G
PNEDA Teilenummer APTCV50H60T3G
Beschreibung IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.256
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTCV50H60T3G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTCV50H60T3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTCV50H60T3G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT, Trench Field Stop
KonfigurationFull Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Leistung - max176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.15nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGLQ600A65T6G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1200A

Leistung - max

2000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

600µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

36.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

FS225R17OE4PBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FZ400R12KS4PHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

MG1275H-XN2MM

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

348W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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