APTC80DSK29T3G
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| Teilenummer | APTC80DSK29T3G |
| PNEDA Teilenummer | APTC80DSK29T3G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.336 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTC80DSK29T3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC80DSK29T3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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APTC80DSK29T3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2254pF @ 25V |
| Leistung - max | 156W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Ta), 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC, 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF, 1250pF @ 15V Leistung - max 3W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-HSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket ChipFET™ |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
