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APTC60TAM35PG

APTC60TAM35PG

Nur als Referenz

Teilenummer APTC60TAM35PG
PNEDA Teilenummer APTC60TAM35PG
Beschreibung MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.056
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTC60TAM35PG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC60TAM35PG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTC60TAM35PG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.72A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 5.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs518nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds14000pF @ 25V
Leistung - max416W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP6
LieferantengerätepaketSP6-P

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

668pF @ 25V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

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8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.23nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6 (1.6x1.6)

FW216A-TL-2WX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FDC6303N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

680mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

TPS1120DR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

840mW

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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