APTC60HM70SCTG
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| Teilenummer | APTC60HM70SCTG |
| PNEDA Teilenummer | APTC60HM70SCTG |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.178 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC60HM70SCTG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC60HM70SCTG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTC60HM70SCTG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 39A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 39A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 259nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| Leistung - max | 250W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.8A, 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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