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APTC60AM83B1G

APTC60AM83B1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTC60AM83B1G
PNEDA Teilenummer APTC60AM83B1G
Beschreibung MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.402
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APTC60AM83B1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC60AM83B1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTC60AM83B1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
FET-Typ3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
FET-FunktionSuper Junction
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs83mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7200pF @ 25V
Leistung - max250W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1

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12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 50V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

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ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A, 16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 15V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SO

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Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1955pF @ 10V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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