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APTC60AM42F2G

APTC60AM42F2G

Nur als Referenz

Teilenummer APTC60AM42F2G
PNEDA Teilenummer APTC60AM42F2G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTC60AM42F2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC60AM42F2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
APTC60AM42F2G, APTC60AM42F2G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 409,16 KB)
PDFAPTC60AM42F2G Datenblatt Cover
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APTC60AM42F2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
FET-Typ2 N Channel (Phase Leg)
FET-FunktionSuper Junction
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.66A
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs510nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds14600pF @ 25V
Leistung - max416W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP2
LieferantengerätepaketSP2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

251pF @ 25V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

906pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

145mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

VMK90-02T2

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

83A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

450nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15000pF @ 25V

Leistung - max

380W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

Lieferantengerätepaket

TO-240AA

AO4832

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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