APT75GN60LDQ3G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT75GN60LDQ3G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT75GN60LDQ3G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 155A 536W TO264 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 7.277 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 17 - Jan 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APT75GN60LDQ3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT75GN60LDQ3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT75GN60LDQ3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 155A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 536W |
| Schaltenergie | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 485nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 47ns/385ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
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