APT50M80B2VRG
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Teilenummer | APT50M80B2VRG |
PNEDA Teilenummer | APT50M80B2VRG |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.574 |
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APT50M80B2VRG Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APT50M80B2VRG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APT50M80B2VRG Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS V® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 58A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 423nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8797pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
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