Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

APT50M75JLLU3

APT50M75JLLU3

Nur als Referenz

Teilenummer APT50M75JLLU3
PNEDA Teilenummer APT50M75JLLU3
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
Hersteller Microsemi
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.624
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT50M75JLLU3 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT50M75JLLU3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
APT50M75JLLU3, APT50M75JLLU3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 482,95 KB)
PDFAPT50M75JLLU3 Datenblatt Cover
APT50M75JLLU3 Datenblatt Seite 2 APT50M75JLLU3 Datenblatt Seite 3 APT50M75JLLU3 Datenblatt Seite 4 APT50M75JLLU3 Datenblatt Seite 5 APT50M75JLLU3 Datenblatt Seite 6 APT50M75JLLU3 Datenblatt Seite 7 APT50M75JLLU3 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • APT50M75JLLU3 Datasheet
  • where to find APT50M75JLLU3
  • Microsemi

  • Microsemi APT50M75JLLU3
  • APT50M75JLLU3 PDF Datasheet
  • APT50M75JLLU3 Stock

  • APT50M75JLLU3 Pinout
  • Datasheet APT50M75JLLU3
  • APT50M75JLLU3 Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APT50M75JLLU3 Price
  • APT50M75JLLU3 Distributor

APT50M75JLLU3 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.51A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs123nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5590pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)290W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketSOT-227
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SPN02N60C3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

BSP612PH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

SPD30N03S2L07GBTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 85µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2530pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF100B201

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

192A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 115A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

255nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9500pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

441W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

NTP150N65S3HF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

FRFET®, SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 540µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1985pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

192W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323

744842565

744842565

Wurth Electronics

COMMON MODE CHOKE 65UH 5A 2LN TH

FIN1002M5X

FIN1002M5X

ON Semiconductor

IC RECEIVER 0/1 SOT23-5

MIC47100YMME

MIC47100YMME

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 8MSOP

YC324-JK-075K1L

YC324-JK-075K1L

Yageo

RES ARRAY 4 RES 5.1K OHM 2012

SD4933MR

SD4933MR

STMicroelectronics

TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177

S6010RTP

S6010RTP

Littelfuse

SCR SENS 600V 10A TO220

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

LTM4613IV#PBF

LTM4613IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 12V 8A

NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363

MPSA70RLRMG

MPSA70RLRMG

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.1A TO-92

MAX491ESD+T

MAX491ESD+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC