APT35GT120JU3
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| Teilenummer | APT35GT120JU3 |
| PNEDA Teilenummer | APT35GT120JU3 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 55A 260W SOT227 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.232 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT35GT120JU3 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT35GT120JU3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APT35GT120JU3 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 55A |
| Leistung - max | 260W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.53nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 430A Leistung - max 1150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 24nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Leistung - max 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 80A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227B |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 900W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POWIR® 62 Module Lieferantengerätepaket POWIR® 62 |
