APT34M60B
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| Teilenummer | APT34M60B |
| PNEDA Teilenummer | APT34M60B |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.552 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT34M60B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT34M60B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APT34M60B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 36A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6640pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 624W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.37Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.46nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 549pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 70W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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