APT30DQ60BHBG
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| Teilenummer | APT30DQ60BHBG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT30DQ60BHBG | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 5.190 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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APT30DQ60BHBG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT30DQ60BHBG |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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APT30DQ60BHBG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 30A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.4V @ 30A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | - |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 90ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 15V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 520mV @ 40A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10mA @ 15V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 90ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 430mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 17ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 150µA @ 30V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 390A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.34V @ 800A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 2200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket BG-PB50SB-1 |
