APT26F120L
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| Teilenummer | APT26F120L |
| PNEDA Teilenummer | APT26F120L |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.030 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT26F120L Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT26F120L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APT26F120L Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 27A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9670pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1135W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4nC @ 5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1469pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 55W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK33 Paket / Fall SOT-1210, 8-LFPAK33 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 594.3pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 115mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 115mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-323 Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
