APT200GT60JR
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT200GT60JR |
| PNEDA Teilenummer | APT200GT60JR |
| Beschreibung | IGBT 600V 195A ISOTOP |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.346 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT200GT60JR Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT200GT60JR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APT200GT60JR Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 195A |
| Leistung - max | 500W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 25µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 8.65nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Leistung - max 205W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 11nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max 595000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 110nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 284W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.475nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ECONO2 Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600A Leistung - max 2250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 60nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
