APT18F60S
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| Teilenummer | APT18F60S |
| PNEDA Teilenummer | APT18F60S |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT18F60S Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT18F60S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APT18F60S Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 370mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 335W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D3Pak |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 88W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
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