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APT15GP60BG

APT15GP60BG

Nur als Referenz

Teilenummer APT15GP60BG
PNEDA Teilenummer APT15GP60BG
Beschreibung IGBT 600V 56A 250W TO247
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.388
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APT15GP60BG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT15GP60BG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT15GP60BG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)56A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)65A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 15A
Leistung - max250W
Schaltenergie130µJ (on), 121µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge55nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.8ns/29ns
Testbedingung400V, 15A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 [B]

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STGWA40HP65FB2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB2

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

227W

Schaltenergie

410µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

153nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/125ns

Testbedingung

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

FGB40T65SPD-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

267W

Schaltenergie

970µJ (on), 280µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

36nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/35ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

HGTG30N60A4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

463W

Schaltenergie

280µJ (on), 240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

390V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IXBF12N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

98A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.4µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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NGTG50N60FLWG

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

116ns/292ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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