APT12M80B
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Teilenummer | APT12M80B |
PNEDA Teilenummer | APT12M80B |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.240 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT12M80B Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APT12M80B |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APT12M80B Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS 8™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2470pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 335W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
Paket / Fall | TO-247-3 |
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