Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

APL502B2G

APL502B2G

Nur als Referenz

Teilenummer APL502B2G
PNEDA Teilenummer APL502B2G
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Hersteller Microsemi
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.794
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 6 - Mär 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APL502B2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPL502B2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • APL502B2G Datasheet
  • where to find APL502B2G
  • Microsemi

  • Microsemi APL502B2G
  • APL502B2G PDF Datasheet
  • APL502B2G Stock

  • APL502B2G Pinout
  • Datasheet APL502B2G
  • APL502B2G Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APL502B2G Price
  • APL502B2G Distributor

APL502B2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 29A, 12V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)730W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketT-MAX™ [B2]
Paket / FallTO-247-3 Variant

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SUM60N02-3M9P-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5950pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.75W (Ta), 120W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FCP290N80

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3205pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

212W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

SI4628DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

SkyFET®, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3450pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTMFS4H02NFT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

37A (Ta), 193A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2652pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

BSS123TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

74AHCT125PW,118

74AHCT125PW,118

Nexperia

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

BYV27-100-TR

BYV27-100-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57

PI4ULS5V202UEX

PI4ULS5V202UEX

Diodes Incorporated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8MSOP

BC817-40-7-F

BC817-40-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 500MA SOT23-3

EP5358HUI

EP5358HUI

Intel

DC DC CONVERTER 1.8-3.3V 2W

LM137K

LM137K

STMicroelectronics

IC REG LINEAR NEG ADJ 1.5A TO3

AD8109ASTZ

AD8109ASTZ

Analog Devices

IC VIDEO CROSSPOINT SWIT 80LQFP

ADR421ARMZ-REEL7

ADR421ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8MSOP

DS1307ZN+T&R

DS1307ZN+T&R

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-SOIC

LAN8710AI-EZK

LAN8710AI-EZK

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 32QFN

MCP23017-E/SP

MCP23017-E/SP

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SDIP

MCP23017-E/SO

MCP23017-E/SO

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SOIC