AOWF4S60
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Teilenummer | AOWF4S60 |
PNEDA Teilenummer | AOWF4S60 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 4A TO262F |
Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.290 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AOWF4S60 Ressourcen
Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | AOWF4S60 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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AOWF4S60 Technische Daten
Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Serie | aMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 263pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 25W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | - |
Paket / Fall | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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