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AOWF20S60

AOWF20S60

Nur als Referenz

Teilenummer AOWF20S60
PNEDA Teilenummer AOWF20S60
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 20A TO262F
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 7.722
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOWF20S60 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOWF20S60
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOWF20S60, AOWF20S60 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 279,01 KB)
PDFAOWF20S60 Datenblatt Cover
AOWF20S60 Datenblatt Seite 2 AOWF20S60 Datenblatt Seite 3 AOWF20S60 Datenblatt Seite 4 AOWF20S60 Datenblatt Seite 5 AOWF20S60 Datenblatt Seite 6

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AOWF20S60 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieaMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs199mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.8nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1038pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)28W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Lieferantengerätepaket-
Paket / FallTO-262-3 Full Pack, I²Pak

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RQA0004PXDQS#H1

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

16V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

UPAK

Paket / Fall

TO-243AA

IRLIZ14GPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.8A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

NTMFS4C032NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta), 38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.35mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.46W (Ta), 21.6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

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Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3Ohm @ 800mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 160µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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