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AOU7S65

AOU7S65

Nur als Referenz

Teilenummer AOU7S65
PNEDA Teilenummer AOU7S65
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 4.680
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AOU7S65 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOU7S65
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOU7S65, AOU7S65 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 358,23 KB)
PDFAOU7S65 Datenblatt Cover
AOU7S65 Datenblatt Seite 2 AOU7S65 Datenblatt Seite 3 AOU7S65 Datenblatt Seite 4 AOU7S65 Datenblatt Seite 5 AOU7S65 Datenblatt Seite 6 AOU7S65 Datenblatt Seite 7

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AOU7S65 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieaMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs650mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.2nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds434pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)89W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-251-3
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

Polar™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

104pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

33W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDG326P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

467pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

AUIRFP064N

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 59A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

BSC090N03MSGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta), 48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 32W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-5

Paket / Fall

8-PowerTDFN

2N7002K-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

380mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

370mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

MBRS340T3G

MBRS340T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 4A SMC

MTFC4GLVEA-0M WT

MTFC4GLVEA-0M WT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 32G MMC 153WFBGA

4610X-101-102LF

4610X-101-102LF

Bourns

RES ARRAY 9 RES 1K OHM 10SIP

PRTR5V0U2X,215

PRTR5V0U2X,215

Nexperia

TVS DIODE 5.5V SOT143B

NB-PTCO-157

NB-PTCO-157

TE Connectivity Measurement Specialties

SENSOR RTD 1KOHM 0.001% 2SIP

GD25Q40CSIG

GD25Q40CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH

1N5335BRLG

1N5335BRLG

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

MMBF170

MMBF170

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

MMSZ5231BT1G

MMSZ5231BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123

ADCMP356YKSZ-REEL7

ADCMP356YKSZ-REEL7

Analog Devices

IC COMP/REF PP ACTIVE HI SC70-4

ADF4351BCPZ

ADF4351BCPZ

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO 32LFCSP