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AOTF8N50

AOTF8N50

Nur als Referenz

Teilenummer AOTF8N50
PNEDA Teilenummer AOTF8N50
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 4.806
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOTF8N50 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOTF8N50
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOTF8N50, AOTF8N50 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 276,26 KB)
PDFAOTF8N50 Datenblatt Cover
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AOTF8N50 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1042pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)38.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

TinyFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

16V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

568mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-143

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

BSC670N25NSFDATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 125V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-1

Paket / Fall

8-PowerTDFN

APT6040BNG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS IV®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

310W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Paket / Fall

TO-247-3

2SK3823

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1780pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.75W (Ta), 45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

Infineon Technologies

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

47W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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