AOTF25S65
Nur als Referenz
| Teilenummer | AOTF25S65 |
| PNEDA Teilenummer | AOTF25S65 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 25A TO220F |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.182 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AOTF25S65 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AOTF25S65 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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AOTF25S65 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | aMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 12.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1278pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3F |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Global Power Technologies Group Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1660pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 52W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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