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AON7934

AON7934

Nur als Referenz

Teilenummer AON7934
PNEDA Teilenummer AON7934
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 2.034
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AON7934 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAON7934
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AON7934, AON7934 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 546,75 KB)
PDFAON7934 Datenblatt Cover
AON7934 Datenblatt Seite 2 AON7934 Datenblatt Seite 3 AON7934 Datenblatt Seite 4 AON7934 Datenblatt Seite 5 AON7934 Datenblatt Seite 6 AON7934 Datenblatt Seite 7 AON7934 Datenblatt Seite 8 AON7934 Datenblatt Seite 9 AON7934 Datenblatt Seite 10

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AON7934 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A, 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.2mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds485pF @ 15V
Leistung - max2.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-DFN-EP (3x3)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.4A, 6.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

751pF @ 10V

Leistung - max

2.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Leistung - max

3.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-VDFN

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V, 12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

5W, 7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

SQJ200EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A, 60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

975pF @ 10V

Leistung - max

27W, 48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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