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AON7458

AON7458

Nur als Referenz

Teilenummer AON7458
PNEDA Teilenummer AON7458
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 1.5A 8DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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AON7458 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAON7458
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AON7458, AON7458 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 524,49 KB)
PDFAON7458 Datenblatt Cover
AON7458 Datenblatt Seite 2 AON7458 Datenblatt Seite 3 AON7458 Datenblatt Seite 4 AON7458 Datenblatt Seite 5 AON7458 Datenblatt Seite 6

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AON7458 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.5A (Ta), 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs560mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.2nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds370pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.1W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur-50°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-DFN (3x3)
Paket / Fall8-PowerVDFN

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

85pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Fall

E-Line-3

IRF530STRL

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AON6220

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaSGT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4525pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

113.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

CSD17309Q3

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta), 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 18A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (Max)

+10V, -8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 12A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2987pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

940mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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