Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AON6522_002

AON6522_002

Nur als Referenz

Teilenummer AON6522_002
PNEDA Teilenummer AON6522_002
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 71A DFN5X6
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.292
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AON6522_002 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAON6522_002
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AON6522_002, AON6522_002 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 280,77 KB)
PDFAON6522_002 Datenblatt Cover
AON6522_002 Datenblatt Seite 2 AON6522_002 Datenblatt Seite 3 AON6522_002 Datenblatt Seite 4 AON6522_002 Datenblatt Seite 5 AON6522_002 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • AON6522_002 Datasheet
  • where to find AON6522_002
  • Alpha & Omega Semiconductor

  • Alpha & Omega Semiconductor AON6522_002
  • AON6522_002 PDF Datasheet
  • AON6522_002 Stock

  • AON6522_002 Pinout
  • Datasheet AON6522_002
  • AON6522_002 Supplier

  • Alpha & Omega Semiconductor Distributor
  • AON6522_002 Price
  • AON6522_002 Distributor

AON6522_002 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.71A (Ta), 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.95mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7036pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)7.3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6)
Paket / Fall8-PowerSMD, Flat Leads

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFR3418PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3510pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 140W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STFILED524

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

525V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

20W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAKFP (TO-281)

Paket / Fall

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

ZXMP2120G4TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25Ohm @ 150mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

NTJS4151PT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

DMP22M2UPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

476nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12826pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Kürzlich verkauft

USB3320C-EZK

USB3320C-EZK

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 32QFN

CY7C68013A-100AXC

CY7C68013A-100AXC

Cypress Semiconductor

IC MCU USB PERIPH HI SPD 100LQFP

MAX3094EEUE+

MAX3094EEUE+

Maxim Integrated

IC RECEIVER 0/4 16TSSOP

LPC1788FBD208,551

LPC1788FBD208,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 208LQFP

MC9S12C128CFUE

MC9S12C128CFUE

NXP

IC MCU 16BIT 128KB FLASH 80QFP

BAT54C-7-F

BAT54C-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

LM2901M

LM2901M

ON Semiconductor

IC COMPARATOR QUAD 14-SOP

EDZVT2R16B

EDZVT2R16B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 16V 150MW EMD2

STM32F777BIT6

STM32F777BIT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 2MB FLASH 208LQFP

2SA1943-O(Q)

2SA1943-O(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS PNP 230V 15A TO-3PL

MC14066BDG

MC14066BDG

ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER QUAD 4X1 14SOIC

AT43USB355E-AC

AT43USB355E-AC

Microchip Technology

IC USB MCU W/HUB,ADC,PWM 64LQFP