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AOE6936

AOE6936

Nur als Referenz

Teilenummer AOE6936
PNEDA Teilenummer AOE6936
Beschreibung MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 5.670
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOE6936 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOE6936
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AOE6936, AOE6936 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 486,53 KB)
PDFAOE6936 Datenblatt Cover
AOE6936 Datenblatt Seite 2 AOE6936 Datenblatt Seite 3 AOE6936 Datenblatt Seite 4 AOE6936 Datenblatt Seite 5 AOE6936 Datenblatt Seite 6 AOE6936 Datenblatt Seite 7 AOE6936 Datenblatt Seite 8 AOE6936 Datenblatt Seite 9 AOE6936 Datenblatt Seite 10

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AOE6936 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.55A (Tc), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V
Leistung - max24W, 39W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

Leistung - max

75W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6)

APTM60H23FT1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

276mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5316pF @ 25V

Leistung - max

208W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

NX6020CAKSX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V, 50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 10V, 36pF @ 25V

Leistung - max

330mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

17-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

190V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

950mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 100V

Leistung - max

7W

Betriebstemperatur

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