AOE6932
Nur als Referenz
| Teilenummer | AOE6932 |
| PNEDA Teilenummer | AOE6932 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.390 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AOE6932 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AOE6932 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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AOE6932 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 55A (Tc), 85A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V |
| Leistung - max | 24W, 52W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 220mA, 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.4A, 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V Leistung - max 1.4W, 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 16V Leistung - max 1.39W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
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