Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AOD4132L

AOD4132L

Nur als Referenz

Teilenummer AOD4132L
PNEDA Teilenummer AOD4132L
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 85A TO252
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.082
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOD4132L Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOD4132L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOD4132L, AOD4132L Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 449,97 KB)
PDFAOD4132L Datenblatt Cover
AOD4132L Datenblatt Seite 2 AOD4132L Datenblatt Seite 3 AOD4132L Datenblatt Seite 4 AOD4132L Datenblatt Seite 5 AOD4132L Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • AOD4132L Datasheet
  • where to find AOD4132L
  • Alpha & Omega Semiconductor

  • Alpha & Omega Semiconductor AOD4132L
  • AOD4132L PDF Datasheet
  • AOD4132L Stock

  • AOD4132L Pinout
  • Datasheet AOD4132L
  • AOD4132L Supplier

  • Alpha & Omega Semiconductor Distributor
  • AOD4132L Price
  • AOD4132L Distributor

AOD4132L Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.85A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4400pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252, (D-Pak)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPL65R210CFDAUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

151W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-VSON-4

Paket / Fall

4-PowerTSFN

BVSS138LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

225mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STL45P3LLH6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ H6

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2615pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.8W (Ta), 75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

2N6790U

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800mW (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

18-ULCC (9.14x7.49)

Paket / Fall

18-CLCC

RHK003N06FRAT146

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SMT3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

ISL21010CFH325Z-TK

ISL21010CFH325Z-TK

Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

ALS70A243DF063

ALS70A243DF063

KEMET

CAP ALUM 24000UF 20% 63V SCREW

W25Q256JVCIQ

W25Q256JVCIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

AT28C16-15TC

AT28C16-15TC

Microchip Technology

IC EEPROM 16K PARALLEL 28TSOP

UDZVTE-177.5B

UDZVTE-177.5B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 7.5V 200MW UMD2

MAX31785ETL+T

MAX31785ETL+T

Maxim Integrated

IC MOTOR DRIVER 2.7V-5.5V 40TQFN

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

BYV26C-TAP

BYV26C-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57

ADF4350BCPZ-RL7

ADF4350BCPZ-RL7

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO FN/IN 32LFCSP

74V2G00STR

74V2G00STR

STMicroelectronics

IC GATE NAND 2CH 2-INP SOT23-8

S6010RTP

S6010RTP

Littelfuse

SCR SENS 600V 10A TO220