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AOD403L

AOD403L

Nur als Referenz

Teilenummer AOD403L
PNEDA Teilenummer AOD403L
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 15A TO252
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 2.574
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AOD403L Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOD403L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOD403L, AOD403L Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 398,53 KB)
PDFAOD403_DELTA Datenblatt Cover
AOD403_DELTA Datenblatt Seite 2 AOD403_DELTA Datenblatt Seite 3 AOD403_DELTA Datenblatt Seite 4 AOD403_DELTA Datenblatt Seite 5 AOD403_DELTA Datenblatt Seite 6

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AOD403L Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.15A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5300pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252, (D-Pak)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

425pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236 (SOT-23)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2N7002H-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

370mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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STB14NK50ZT4

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.85nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

70.13pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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