Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AOC2422

AOC2422

Nur als Referenz

Teilenummer AOC2422
PNEDA Teilenummer AOC2422
Beschreibung MOSFET N-CH 8V 3.5A 4WLCSP
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.958
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOC2422 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOC2422
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOC2422, AOC2422 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 240,5 KB)
PDFAOC2422 Datenblatt Cover
AOC2422 Datenblatt Seite 2 AOC2422 Datenblatt Seite 3 AOC2422 Datenblatt Seite 4 AOC2422 Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • AOC2422 Datasheet
  • where to find AOC2422
  • Alpha & Omega Semiconductor

  • Alpha & Omega Semiconductor AOC2422
  • AOC2422 PDF Datasheet
  • AOC2422 Stock

  • AOC2422 Pinout
  • Datasheet AOC2422
  • AOC2422 Supplier

  • Alpha & Omega Semiconductor Distributor
  • AOC2422 Price
  • AOC2422 Distributor

AOC2422 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 1.5A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Vgs (Max)±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds870pF @ 4V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)600mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Paket / Fall4-SMD, No Lead

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SFP9530

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

66W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

STD25NF10LA

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1710pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPS02N60C3BKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

SI3421DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.2mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2580pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IRF6602

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1420pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MQ

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MQ

Kürzlich verkauft

IRG4BC20KDSTRRP

IRG4BC20KDSTRRP

Infineon Technologies

IGBT 600V 16A 60W D2PAK

S6010RTP

S6010RTP

Littelfuse

SCR SENS 600V 10A TO220

744314150

744314150

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 13A 4.3 MOHM SMD

ADP2384ACPZN-R7

ADP2384ACPZN-R7

Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 4A 24LFCSP

CM2009-00QR

CM2009-00QR

ON Semiconductor

VGA PORT COMPANION-65 OHM QSOP16

GD25Q80CSIG

GD25Q80CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH

BC807-25,215

BC807-25,215

Nexperia

TRANS PNP 45V 0.5A SOT23

AD623ANZ

AD623ANZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8DIP

CKP25202R2M-T

CKP25202R2M-T

Taiyo Yuden

FIXED IND 2.2UH 400MA 90 MOHM

TAJD686K016RNJ

TAJD686K016RNJ

CAP TANT 68UF 10% 16V 2917

1N4004GP-E3/54

1N4004GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

LM239AD

LM239AD

STMicroelectronics

IC VOLT COMPARATOR QUAD 14-SOIC