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AO7413_030

AO7413_030

Nur als Referenz

Teilenummer AO7413_030
PNEDA Teilenummer AO7413_030
Beschreibung MOSFET P-CH SC70-3
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 6.912
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AO7413_030 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAO7413_030
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AO7413_030, AO7413_030 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 213,71 KB)
PDFAO7413_030 Datenblatt Cover
AO7413_030 Datenblatt Seite 2 AO7413_030 Datenblatt Seite 3 AO7413_030 Datenblatt Seite 4 AO7413_030 Datenblatt Seite 5

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AO7413_030 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs113mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)350mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-70-3
Paket / FallSC-70, SOT-323

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2245pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PSMN1R0-25YLDX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.89mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5308pF @ 12V

FET-Funktion

Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.)

160W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

IPAW60R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 630µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 100V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

34W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

TPCA8010-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP Advance (5x5)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

SUP90N15-18P-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4180pF @ 75V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.75W (Ta), 375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

RK7002BMT116

RK7002BMT116

Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3

IHLP1616BZERR47M11

IHLP1616BZERR47M11

Vishay Dale

FIXED IND 470NH 7A 16 MOHM SMD

LT8610ABHMSE#TRPBF

LT8610ABHMSE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 3.5A 16MSOP

ADUM1402BRWZ

ADUM1402BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

BC184C

BC184C

ON Semiconductor

TRANS NPN 30V 0.5A TO-92

IHLP2525CZERR33M01

IHLP2525CZERR33M01

Vishay Dale

FIXED IND 330NH 20A 3.9 MOHM SMD

FMR0H104ZF

FMR0H104ZF

KEMET

CAPACITOR 0.1F 5.5V RADIAL

RB521S-30TE61

RB521S-30TE61

Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

S2G-13-F

S2G-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

PIC18F2331-I/SO

PIC18F2331-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 28SOIC

0154007.DR

0154007.DR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD