AO6608
Nur als Referenz
| Teilenummer | AO6608 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | AO6608 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 230 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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AO6608 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AO6608 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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AO6608 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.4A (Ta), 3.3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 15V, 510pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.25W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 15V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 15V Leistung - max 1.04W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 8-MSOP |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 10V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket TUMT6 |
