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AO5600EL

AO5600EL

Nur als Referenz

Teilenummer AO5600EL
PNEDA Teilenummer AO5600EL
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 7.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AO5600EL Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAO5600EL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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AO5600EL Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN and P-Channel Complementary
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.600mA, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs650mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds45pF @ 10V
Leistung - max380mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSC-89-6

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Vishay Siliconix

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A, 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2458pF @ 15V

Leistung - max

3.3W, 3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SP8J1TB

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

APTC60AM70T1G

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

NVMFD5489NLT1G

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Leistung - max

3W

Betriebstemperatur

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