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AO4812L_101

AO4812L_101

Nur als Referenz

Teilenummer AO4812L_101
PNEDA Teilenummer AO4812L_101
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6A
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 3.780
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Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AO4812L_101 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAO4812L_101
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AO4812L_101, AO4812L_101 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 255,78 KB)
PDFAO4812L_101 Datenblatt Cover
AO4812L_101 Datenblatt Seite 2 AO4812L_101 Datenblatt Seite 3 AO4812L_101 Datenblatt Seite 4 AO4812L_101 Datenblatt Seite 5

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AO4812L_101 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds310pF @ 15V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

775pF @ 10V

Leistung - max

620mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-TDFN (2x2)

APTC60AM45B1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

AO4600C

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Ta), 5.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.5A, 10V, 42mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMC3060LVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SI7872DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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