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AO4722

AO4722

Nur als Referenz

Teilenummer AO4722
PNEDA Teilenummer AO4722
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 2.682
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AO4722 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAO4722
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AO4722, AO4722 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 174,37 KB)
PDFAO4722 Datenblatt Cover
AO4722 Datenblatt Seite 2 AO4722 Datenblatt Seite 3 AO4722 Datenblatt Seite 4

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AO4722 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieSRFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
FET-FunktionSchottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)1.7W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SOIC
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

24W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

NTLUS3A39PZTBG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

µCool™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-UDFN (1.6x1.6)

Paket / Fall

6-PowerUFDFN

IRC740PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

FET-Funktion

Current Sensing

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-5

Paket / Fall

TO-220-5

CPC3710CTR

IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 220mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

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Montagetyp

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