AO4415
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| Teilenummer | AO4415 |
| PNEDA Teilenummer | AO4415 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.086 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AO4415 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AO4415 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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AO4415 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 8A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 45W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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