AO3416L_102
Nur als Referenz
| Teilenummer | AO3416L_102 |
| PNEDA Teilenummer | AO3416L_102 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V SOT23 |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.358 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
AO3416L_102 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | AO3416L_102 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- AO3416L_102 Datasheet
- where to find AO3416L_102
- Alpha & Omega Semiconductor
- Alpha & Omega Semiconductor AO3416L_102
- AO3416L_102 PDF Datasheet
- AO3416L_102 Stock
- AO3416L_102 Pinout
- Datasheet AO3416L_102
- AO3416L_102 Supplier
- Alpha & Omega Semiconductor Distributor
- AO3416L_102 Price
- AO3416L_102 Distributor
AO3416L_102 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 260A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5890pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 330W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 424pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252-2 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2610pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta) Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 10A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 4V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FI(LS) Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 73mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 584pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-73 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
