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ALD210808SCL

ALD210808SCL

Nur als Referenz

Teilenummer ALD210808SCL
PNEDA Teilenummer ALD210808SCL
Beschreibung MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
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Auf Lager 3.402
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ALD210808SCL Ressourcen

Marke Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerALD210808SCL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ALD210808SCL, ALD210808SCL Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 113,6 KB)
PDFALD210808ASCL Datenblatt Cover
ALD210808ASCL Datenblatt Seite 2 ALD210808ASCL Datenblatt Seite 3 ALD210808ASCL Datenblatt Seite 4 ALD210808ASCL Datenblatt Seite 5 ALD210808ASCL Datenblatt Seite 6 ALD210808ASCL Datenblatt Seite 7 ALD210808ASCL Datenblatt Seite 8 ALD210808ASCL Datenblatt Seite 9 ALD210808ASCL Datenblatt Seite 10 ALD210808ASCL Datenblatt Seite 11

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ALD210808SCL Technische Daten

HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
FET-Typ4 N-Channel, Matched Pair
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

245pF @ 10V, 218pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.2A (Ta), 6.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V, 1188pF @ 15V

Leistung - max

1.2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

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EPC

Hersteller

EPC

Serie

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FET-Typ

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V, 100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 30V, 7pF @ 30V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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-

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Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

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