AIKW50N65DF5XKSA1
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| Teilenummer | AIKW50N65DF5XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | AIKW50N65DF5XKSA1 |
| Beschreibung | IC DISCRETE 650V TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.872 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AIKW50N65DF5XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AIKW50N65DF5XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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AIKW50N65DF5XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 270W |
| Schaltenergie | 490µJ (on), 140µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 1018nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 21ns/156ns |
| Testbedingung | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3-41 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.36V @ 15V, 41A Leistung - max 200W Schaltenergie 720µJ (on), 8.27mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/650ns Testbedingung 480V, 41A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 20A Leistung - max 45W Schaltenergie 470µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/122ns Testbedingung 400V, 20A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 322ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 410A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 1100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A Leistung - max 1560W Schaltenergie 5mJ (on), 4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/370ns Testbedingung 400V, 100A, 0Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 108ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 195W Schaltenergie 410µJ (on), 950µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/150ns Testbedingung 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 [K] |
