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AFT09S200W02SR3

AFT09S200W02SR3

Nur als Referenz

Teilenummer AFT09S200W02SR3
PNEDA Teilenummer AFT09S200W02SR3
Beschreibung RF MOSFET LDMOS 4W PLD
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.970
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AFT09S200W02SR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAFT09S200W02SR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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AFT09S200W02SR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
Transistortyp-
Frequenz-
Gewinn-
Spannungstest-
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

-

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.7dB

Stromtest

12mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

STAC3933

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

30MHz

Gewinn

29dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

20A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

250V

Paket / Fall

STAC177B

Lieferantengerätepaket

STAC177B

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

36V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

89V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

11.5dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

55mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

PTFA082201FV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

894MHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.95A

Leistung - Leistung

220W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37260-2

Kürzlich verkauft

FDS6982AS

FDS6982AS

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO

NFM31KC223R1H3L

NFM31KC223R1H3L

Murata

CAP FEEDTHRU 0.022UF 50V 1206

ADV7341BSTZ

ADV7341BSTZ

Analog Devices

IC ENCODER VIDEO HDTV 64LQFP

ADM6996MX-AD-T-1

ADM6996MX-AD-T-1

Infineon Technologies

IC SWITCH ETHER 5PORT 128-FQFP

T9AS1D12-15

T9AS1D12-15

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 15V

SML-310MTT86

SML-310MTT86

Rohm Semiconductor

LED GREEN CLEAR 0603 SMD

M27C512-15F1

M27C512-15F1

STMicroelectronics

IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP

AD823AR

AD823AR

Analog Devices

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC

CAT93C46VI-GT3

CAT93C46VI-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8SOIC

SMBJ28CA

SMBJ28CA

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

MT41J128M16HA-15E:D

MT41J128M16HA-15E:D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

C3M0065090D

C3M0065090D

Cree/Wolfspeed

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3