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AFT09S200W02NR3

AFT09S200W02NR3

Nur als Referenz

Teilenummer AFT09S200W02NR3
PNEDA Teilenummer AFT09S200W02NR3
Beschreibung FET RF 70V 960MHZ PLD
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.546
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AFT09S200W02NR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAFT09S200W02NR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
AFT09S200W02NR3, AFT09S200W02NR3 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 856,97 KB)
PDFAFT09S200W02NR3 Datenblatt Cover
AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 2 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 3 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 4 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 5 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 6 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 7 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 8 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 9 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 10 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 11

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AFT09S200W02NR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz960MHz
Gewinn19.2dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung56W
Spannung - Nennspannung70V
Paket / FallOM-780-2
LieferantengerätepaketOM-780-2

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

1.88GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36248-2

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

42A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

345mA

Leistung - Leistung

2.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1112A

Lieferantengerätepaket

CDFM6

PTF210451F V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-31265-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

14.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4L4L-8

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4L4L-8

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