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A430N

A430N

Nur als Referenz

Teilenummer A430N
PNEDA Teilenummer A430N
Beschreibung DIODE GP 800V 1000A DO200AB
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 3.888
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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A430N Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA430N
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
A430N, A430N Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 429,5 KB)
PDFA430PE Datenblatt Cover
A430PE Datenblatt Seite 2 A430PE Datenblatt Seite 3 A430PE Datenblatt Seite 4

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A430N Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)800V
Current - Average Rectified (Io)1000A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.42V @ 3140A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)10µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 800V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AB, B-PUK
LieferantengerätepaketDO-200AB, B-PUK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

40A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.19V @ 90A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

VS-15ETL06STRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

270ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

VS-75EPU12L-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.55V @ 75A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

265ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

420µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

1N645-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

225V

Current - Average Rectified (Io)

400mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50nA @ 225V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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