A2T18S262W12NR3
Nur als Referenz
Teilenummer | A2T18S262W12NR3 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | A2T18S262W12NR3 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | ||||||||||||||||||
Hersteller | NXP | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 5.366 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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A2T18S262W12NR3 Ressourcen
Marke | NXP |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | A2T18S262W12NR3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
Datenblatt |
A2T18S262W12NR3, A2T18S262W12NR3 Datenblatt
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A2T18S262W12NR3 Technische Daten
Hersteller | NXP USA Inc. |
Serie | - |
Transistortyp | LDMOS |
Frequenz | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
Gewinn | 19.3dB |
Spannungstest | 28V |
Nennstrom (Ampere) | 10µA |
Rauschzahl | - |
Stromtest | 1.6A |
Leistung - Leistung | 231W |
Spannung - Nennspannung | 65V |
Paket / Fall | OM-880X-2L2L |
Lieferantengerätepaket | OM-880X-2L2L |
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