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A2I20H060GNR1

A2I20H060GNR1

Nur als Referenz

Teilenummer A2I20H060GNR1
PNEDA Teilenummer A2I20H060GNR1
Beschreibung IC TRANS RF LDMOS
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.226
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 31 - Feb 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

A2I20H060GNR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2I20H060GNR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2I20H060GNR1, A2I20H060GNR1 Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 961,72 KB)
PDFA2I20H060NR1 Datenblatt Cover
A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 2 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 3 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 4 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 5 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 6 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 7 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 8 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 9 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 10 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 11

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A2I20H060GNR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.84GHz
Gewinn28.9dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest24mA
Leistung - Leistung12W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallTO-270-14 Variant, Gull Wing
LieferantengerätepaketTO-270WBG-15

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

-

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

1dB

Stromtest

500µA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

19.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

65W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

718.5MHz ~ 725.5MHz

Gewinn

20.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

3.4A

Leistung - Leistung

95W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1242B

Lieferantengerätepaket

CDFM8

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

225MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

1kHz

Gewinn

-

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

1dB

Stromtest

500µA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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