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A2I20H060GNR1

A2I20H060GNR1

Nur als Referenz

Teilenummer A2I20H060GNR1
PNEDA Teilenummer A2I20H060GNR1
Beschreibung IC TRANS RF LDMOS
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.226
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

A2I20H060GNR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2I20H060GNR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2I20H060GNR1, A2I20H060GNR1 Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 961,72 KB)
PDFA2I20H060NR1 Datenblatt Cover
A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 2 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 3 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 4 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 5 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 6 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 7 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 8 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 9 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 10 A2I20H060NR1 Datenblatt Seite 11

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A2I20H060GNR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.84GHz
Gewinn28.9dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest24mA
Leistung - Leistung12W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallTO-270-14 Variant, Gull Wing
LieferantengerätepaketTO-270WBG-15

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

225MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

PTFB093608SVV2R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

1kHz

Gewinn

-

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

1dB

Stromtest

500µA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

19.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

65W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

PD55003L-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

500MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

2.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PowerFLAT™ (5x5)

Kürzlich verkauft

ILBB0805ER110V

ILBB0805ER110V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 11 OHM 0805 1LN

FBMJ2125HS420-T

FBMJ2125HS420-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 42 OHM 0805 1LN

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

SMP253MA4470MTR24

SMP253MA4470MTR24

KEMET

CAP FILM 4700PF 20% 250VDC SMD

EEE-FK1V100R

EEE-FK1V100R

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 10UF 20% 35V SMD

HX5401NL

HX5401NL

Pulse Electronics Network

XFRMR MODL 4PORT POE GIGABIT

B3S-1002P

B3S-1002P

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

LIS3MDLTR

LIS3MDLTR

STMicroelectronics

SENSOR MR I2C/SPI 12LGA

NB-PTCO-157

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SENSOR RTD 1KOHM 0.001% 2SIP

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MPX5500DP

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IC SENSOR PRESS GAUGE 75PSI RANG

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T9AS1D12-15

T9AS1D12-15

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 15V