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A2C35S12M3

A2C35S12M3

Nur als Referenz

Teilenummer A2C35S12M3
PNEDA Teilenummer A2C35S12M3
Beschreibung IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.588
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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A2C35S12M3 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2C35S12M3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
A2C35S12M3, A2C35S12M3 Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 3.064,08 KB)
PDFA2C35S12M3-F Datenblatt Cover
A2C35S12M3-F Datenblatt Seite 2 A2C35S12M3-F Datenblatt Seite 3 A2C35S12M3-F Datenblatt Seite 4 A2C35S12M3-F Datenblatt Seite 5 A2C35S12M3-F Datenblatt Seite 6 A2C35S12M3-F Datenblatt Seite 7 A2C35S12M3-F Datenblatt Seite 8 A2C35S12M3-F Datenblatt Seite 9 A2C35S12M3-F Datenblatt Seite 10 A2C35S12M3-F Datenblatt Seite 11

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A2C35S12M3 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35A
Leistung - max250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 35A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2154pF @ 25V
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketACEPACK™ 2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1600A

Leistung - max

9000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-50°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT40GP90J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

68A

Leistung - max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

BSM75GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT50H120T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

270W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FS100R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

335W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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