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A2C25S12M3-F

A2C25S12M3-F

Nur als Referenz

Teilenummer A2C25S12M3-F
PNEDA Teilenummer A2C25S12M3-F
Beschreibung IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.462
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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A2C25S12M3-F Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2C25S12M3-F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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A2C25S12M3-F Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Leistung - max197W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1550pF @ 25V
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketACEPACK™ 2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225A

Leistung - max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

GSID080A120B1A5

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Leistung - max

1710W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

BSM150GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT400SK120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

580A

Leistung - max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

29nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

FS50R12KT4B15BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™2

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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