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A1P35S12M3-F

A1P35S12M3-F

Nur als Referenz

Teilenummer A1P35S12M3-F
PNEDA Teilenummer A1P35S12M3-F
Beschreibung IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.282
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

A1P35S12M3-F Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA1P35S12M3-F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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A1P35S12M3-F Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35A
Leistung - max250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 35A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2154pF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketACEPACK™ 1

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

180A

Leistung - max

760W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

7.5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y3-DCB

Lieferantengerätepaket

Y3-DCB

APT40GLQ120JCU2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

CM200DY-24A

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

1340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

35nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS50R06YL4BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Leistung - max

202W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

200pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS75R07N2E4B11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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