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93AA86B-I/MS

93AA86B-I/MS

Nur als Referenz

Teilenummer 93AA86B-I/MS
PNEDA Teilenummer 93AA86B-I-MS
Beschreibung IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8MSOP
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 4.698
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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93AA86B-I/MS Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer93AA86B-I/MS
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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93AA86B-I/MS Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße16Kb (1K x 16)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz3MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Lieferantengerätepaket8-MSOP

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

16Gb (2G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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