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71V3577S75PFGI

71V3577S75PFGI

Nur als Referenz

Teilenummer 71V3577S75PFGI
PNEDA Teilenummer 71V3577S75PFGI
Beschreibung IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 5.832
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

71V3577S75PFGI Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer71V3577S75PFGI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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71V3577S75PFGI Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße4.5Mb (128K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit7.5ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

36-SOJ

TC58CYG1S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-WSON (6x8)

MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

12Gb (384M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

200-WFBGA

Lieferantengerätepaket

200-WFBGA (10x14.5)

CY62177EV30LL-55BAXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-FBGA (8x9.5)

IS61LF102436A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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